Transistor Mosfet Efecto De Campo 2n7000 Canal N To-92 60v

Información del producto

Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N 2N7000, Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celdas patentada por ON Semiconductor. Estos productos han sido diseñados para minimizar la resistencia en estado activo al tiempo que brindan un rendimiento de conmutación rápido, confiable y resistente. Se pueden utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 400 mAdc y pueden suministrar corrientes pulsadas de hasta 2A. Estos productos son particularmente adecuados para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de servomotores pequeños, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación. Características: Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (activado) Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje Robusto y confiable Capacidad de corriente de alta saturación Este dispositivo no contiene Pb ni halógenos Polaridad del transistor: Canal N Intensidad drenador continua Id: 200 uA típico Voltaje de drenaje fuente Vds: 60 V Resistencia de activación RDS (on): 1.2 Ohm Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V Tensión Umbral Vgs: 2.1 V Disipación de potencia Pd: 400 mW Temperatura de operación máxima: 150 °C Encapsulado: TO-92 Pines: 3 LA COMPRA INCLUYE: 10 x TRANSISTOR MOSFET 2n7000 TO92