Transistor Mosfet Potencia Canal N Irf3205pbf 55v 110a To-220

Información del producto

Los MOSFET de potencia avanzados utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales con niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo de paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. Tecnología de proceso avanzada Resistencia ultra baja Clasificación dinámica dv / dt 175 ° C Temperatura de funcionamiento Cambio rápido Totalmente clasificado como avalancha Sin plomo Tipo de Canal N Corriente Máxima Continua de Drenaje 110 A Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V Tipo de Encapsulado TO-220AB Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante Conteo de Pines 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente 8 mohm Modo de Canal Mejora Tensión de umbral de puerta máxima 4V Tensión de umbral de puerta mínima 2V Disipación de Potencia Máxima 200 W Configuración de transistor Simple Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V Número de Elementos por Chip 1 Material del transistor Si Carga Típica de Puerta Vgs 146 nC 10 V Ancho 4.69mm Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 C Serie HEXFET Longitud 10.54mm Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 C Altura 8.77mm LA COMPRA INCLUYE: 1 x TRANSISTOR MOSFET IRF3205PBF TO-220